材料微觀(guān)行為研究正迎來(lái)多場(chǎng)景耦合、原位動(dòng)態(tài)表征的新時(shí)代。國儀量子推出創(chuàng )新性原位力學(xué)解決方案，憑借卓越的開(kāi)放兼容性，實(shí)現全系列電鏡產(chǎn)品與市面上主流原位測試設備的無(wú)縫對接，為材料科學(xué)研究提供靈活、高效的多場(chǎng)景耦合分析平臺。該解決方案突破傳統封閉系統的局限，集合各種原位電鏡適配關(guān)鍵要素與一身，具備以下特點(diǎn)：大束流：優(yōu)于100nA，有利于快速分析EDS，EBSD等相關(guān)信息大空間：360MM×310MM×288MM（長(cháng)寬高）大承重：5Kg（定制夾具最多支持10Kg）多視角：多位CCD保...

在材料高溫性能研究、相變機理分析等領(lǐng)域，傳統外部加熱手段往往無(wú)法實(shí)現微區精準控溫與實(shí)時(shí)觀(guān)測的結合。國儀量子聯(lián)合中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微納中心，自主研制原位加熱芯片解決方案，通過(guò)MEMS加熱芯片與雙束電鏡的深度融合，實(shí)現樣品在室溫至1100℃范圍內的精準控溫與微觀(guān)動(dòng)態(tài)分析，為高溫環(huán)境下材料行為研究提供全新工具。該方案采用國儀自研雙束電鏡與專(zhuān)用MEMS加熱芯片，控溫精度優(yōu)于0.1℃，測溫分辨率優(yōu)于0.1℃，同時(shí)具備溫度均勻性好、紅外輻射少等優(yōu)勢，有效保障高溫下的分析穩定性。系統支持在加...

在材料分析與表征領(lǐng)域，單一技術(shù)往往難以同時(shí)獲取納米尺度的形貌與分子級別的化學(xué)信息。國儀量子創(chuàng )新推出電鏡-拉曼聯(lián)用解決方案，實(shí)現掃描電鏡高分辨率成像與拉曼光譜化學(xué)分析的真正原位融合，為多維度材料研究提供強大工具。國儀量子電鏡-拉曼聯(lián)用解決方案通過(guò)光路優(yōu)化與系統集成兩種方式，在同一平臺完成微區定位、形貌觀(guān)測與拉曼檢測，徹底解決傳統跨設備分析中的定位誤差問(wèn)題。用戶(hù)可在SEM圖像中精準鎖定目標區域（如缺陷、界面、納米顆粒），直接激發(fā)拉曼激光，同步獲取成分、物相、應力分布等化學(xué)結構信息...

在半導體制造邁向更精細工藝的時(shí)代，晶圓級缺陷分析、失效定位與微納加工已成為提升良率的關(guān)鍵環(huán)節。國儀量子推出8英寸晶圓雙束全尺寸加工解決方案，集高分辨率成像與精準離子束加工于一體，實(shí)現對晶圓的“觀(guān)測-分析-切割”全流程覆蓋，為半導體先進(jìn)制程提供強大技術(shù)支撐。該方案搭載150mm大行程高精度樣品臺，可支持8英寸晶圓全域無(wú)損觀(guān)測與加工，配合外置光學(xué)導航系統與智能防碰撞算法，實(shí)現晶圓的快速、精準定位與安全操作。系統配備肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍?zhuān)直媛蔬_0.9nm@15kV，離子束分辨率達3...

在半導體制造邁向更精細工藝節點(diǎn)的今天，晶圓缺陷檢測已成為決定良率與性能的關(guān)鍵。國儀量子推出新一代12寸晶圓掃描電鏡解決方案，以突破性技術(shù)實(shí)現晶圓全域、無(wú)需轉動(dòng)與傾斜、無(wú)損、高分辨率檢測，為先進(jìn)制程提供堅實(shí)支撐。該方案配備超大行程樣品臺（X/Y≥300mm），可全面覆蓋12寸晶圓，無(wú)需切割或轉移樣品，真正實(shí)現“原尺寸、原位置”觀(guān)測。系統搭載肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍?zhuān)?5kV下分辨率達1.0nm，即便在1kV低電壓下仍保持1.5nm超高分辨率，極大降低電子束損傷，尤其適用于敏感結構與...